Photowiderstand und Photodiode

Schlagwörter:
Halbleiter, Photoeffekt, Referat, Hausaufgabe, Photowiderstand und Photodiode
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Referat
Photowiderstand und Photodiode LK Physik, Gym. Weißenburg, 12 2, `94 1. Halbleiter allgemein: Leiter: Metalle Metallegierungen ( sehr gute Leiteigenschaften) Nichtleiter: Isolatoren (z.B. Porzellan, Kunstoffe), Leitfähigkeit 0 Halbleiter: Eigenschaften zwischen den beiden obigen (Silizium,Germ.) bei Halbleitern ist der Widerstand durch äußere Umstände (Wärme Licht) bed. Aufbau: Germanium Silizium haben 4 Außenelektronen (Valenzelektronen) Elektronenpaare vollkommene Elektronenbindung, Härte festes Gitter, nur durch durch äußere Energiezufuhr aufbrechbar eigentlich ein Isolator Eigenleitung: trifft allerdings nur auf absoluten Nullpunkt -273oC zu bei höheren Temperaturen bricht die Kristallstruktur auf (Diode mit Fön erhitzen, Widerstand fällt von 1-2M meßbar ab) bereits bei 20oC leitbar: kleine Temperaturenerhöhungen verbes sern die Leitfähigkeit erheblich Eigenleitung Wärme auch durch Eigenwärme bei Stromfluß Halbleiter in reiner Form nutzlos, da zu extrem Dotieren oder Dopen: Beimengen von Stoffen mit 1 Valenzelektron mehr oder weniger (3, 5) in Reinsträumen: chemische und physikalische Verfahren auf 1012 ein Fremdatom, Leitfähigkeit 1. N-Leiter: z.B. Dotierung mit Phosphor (5) und Silizium (4) jedes fünfte Valenz-Elektron von Phosphor ist frei nicht in Gitter eingebunden, für Leitung frei Störstelle Elektronen frei beweglich N-Leiter nicht geladen bei Spannung: Elektronen von Minus nach Plus 2. P-Leiter: z.B. mit Aluminium (3) und Silizium (4) Elektronenpaarbindungen, ...

Autor:
Kategorie:
Sonstiges
Anzahl Wörter:
808
Art:
Referat
Sprache:
Deutsch
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