Bipolartransistor
Beschreibung / Inhalt
Das Dokument beschäftigt sich mit dem Bipolartransistor, einem Halbleiterbauelement, welches zum Verstärken oder Schalten von Signalen verwendet wird. Es wird auf die Funktionsweise von npn Transistoren eingegangen, die aus zwei n-dotierten Zonen und einer p-dotierten Zone bestehen. Es werden die Potentiale, Spannungen und Ströme beschrieben. Zudem werden in dem Dokument Kennlinien und Parameter wie das Eingangs-, Ausgangs-, Stromsteuerungs- und Rückwirkungskennlinienfeld ausführlich erklärt. Die Steilheit des Transistors und die Arbeitspunkteinstellung anhand der Emittergrundschaltung werden ebenfalls beschrieben. Es wird darauf hingewiesen, dass die Steilheit S abhängig vom Kollektorstrom IC im Arbeitspunkt und unabhängig von den individuellen Eigenschaften des jeweiligen Bipolartransistors ist. Das Dokument enthält mehrere Grafiken zur Veranschaulichung der Erklärungen.
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Auszug aus Referat
1. Einleitung Der Bipolartransistor ist ein Halbleiterbauelement welches aus einer npn bzw pnp Schichtfolge besteht (Er arbeitet mit zwei unterschiedlich gepolten pn übergängen). Diese Halbleiterschichten werden als Emitter (E), Basis (B) und Kollektor (C) bezeichnet. Der Transistor wird zum Verstärken oder Schalten von Signalen verwendet. Transistoren werden vorwiegend aus Silizium gefertigt. Die früher verwendeten Germaniumtransistoren haben gegenüber Siliziumtransistoren sehr viele Nachteile und werden nur für spezielle Zwecke eingesetzt. Es wird zwischen pnp und npn Transistoren unterschieden. Folgend werde ich mich aber nur auf den npn Transistor konzentrieren. Der pnp Transistor funktioniert analog. Es müssen nur Spannungen und Ströme umgedreht werden. 1.1 Funktionsweise von npn Transistor Der npn Transistor besteht aus 2 n-dotierten Zonen zwischen denen sich eine p-dotierte Zone befindet. Eine der n-Zonen nennt man Kollektor und die andere Emitter. Theoretisch könnte man Kollektor und Emitter vertauschen, bringt aber in der Praxis einige Nachteile, da die einzelnen Zonen andere Dotierungen aufweisen und der Großteil der Verlustwärme in der Kollektorzone entsteht. Transistoren werden so gebaut das die Kollektorzone am besten gekühlt ist. npn Vergleich: pnp Legt man zwischen Basis und Emitter eine Spannung UBE an, so beginnen die Elektronen die Löcher aus dem p-Material aufzufüllen. Aus der p-Schicht wird also praktisch eine n-Schicht- die Basis Emitter Diode ...
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Kategorie:
Sonstiges
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Anzahl Wörter:
1804
Art:
Referat
Sprache:
Deutsch
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