PN-Übergang - Halbleiter - Diode

Schlagwörter:
Referat, Hausaufgabe, PN-Übergang - Halbleiter - Diode
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Referat
PN-üBERGANG Bindungsmodell der Halbleiter Ausgehend von den Valenzen, die zu den Bindungen zwischen den Atomen führen, läßt sich der Leitungsmechanismus in Halbleitern qualitativ beschreiben. Gitterstruktur der Halbleiter Nach dem Bohr schen Atommodell wird ein positiv geladener Kern (10-15m) von von Elektrronen umkreist. Die chemischen und elektrischen Eigenschaften eines Stoffes werden durch die Elektronenhülle (10-10m) bestimmt. Die den Kern umkreisenden Elektronen sind in sogenannten Schalen angeordnet, wobei jeder Schale eine bestimmte Anzahl von Elektronen zugeordnet ist. Ist jeweils die äußerste Schale vollständig gefüllt, handelt es sich um ein chemisch besonders stabiles Element, ein Edelgas. Bändermodell der Halbleiter: Valenzband und Leitungsband Energiespektrum besagt, daß ein Elektron nur ganz bestimmte diskrete Energiewerte annehmen kann. Dies ist eine Folge der Welleneigenschaften der Elektronen und wird durch die Quantenmechanik beschrieben. Das unterste Energieniveau (Haptquantenzahl n 1) entspricht der Elektronenbahn mit kleinstmöglichen Radius (innerste Schalle). Um das Elektron auf den nächsthöheren Energiezustand (zweite Schale) zu bringen, muß Arbeit gegen die anziehende Kräfte der gegennamigen Ladungen (Kern und Elektron) geleistet werden. Bei größerer Energiezufuhr kann das Elektron auf höhere Energieniveaus gehoben und schließlich ganz vom Atomkern getrennt werden. Diese Energie wird Ionisierungsenergie genannt. Das vom Kern gelöste Elektron kann ...

Autor:
Kategorie:
Sonstiges
Anzahl Wörter:
3314
Art:
Fachbereichsarbeit
Sprache:
Deutsch
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