Grundschaltungen des JFET

Schlagwörter:
Referat, Hausaufgabe, Grundschaltungen des JFET
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Referat
Grundschaltungen des JFETs: In Analogie zum bipolaren Transistor unterscheidet man auch beim JFET zwischen 3 Grundschaltungen, je nachdem welche Elektrode auf konstantem Potential liegt : Sourceschaltung Emitterschaltung Drainschaltung Kollektorschaltung Gateschaltung Basisschaltung Der größte Vorteil des FETs gegenüber dem Bipolartransistor liegt bei seinem hohen Einganswiderstand. Es liegt daher eine reine Spannungsteuerung vor. Die Spannungsverstärkung liegt beim n-Kanal FET bei etwa 100 bis 300. Bei p-Kanal FETs ist sie nur halb so groß. Die Maximalverstärkung von Fets beträgt also nur ungefähr ein Zehntel der Maximalverstärkung von Bipolartransistoren. Beim linearen Verstärker hat der Feldeffekttransistor die Aufgabe, eine kleine Spannungsänderung am Eingang mit Hilfe der Speisespannung in eine große Stromänderung umzuwandeln. Die Eingangs- und Ausgangsgrößen sollen hierbei in einem möglichst linearen Zusammenhang stehen. Wird eine verstärkte Ausgangsspannung verlangt, so formt ein Widerstand die Stromänderung in eine Spannungsänderung um. Groß- und Kleinsignalbetrieb: Bild 1 In der Grundschaltung (Sourceschaltung) nach Bild 1 läßt sich der Strom ID und damit auch die dem Lastwiderstand RD zugeführte Leistung über die Gate-Source-Spannung UGS nahezu leistungslos steuern. Der Großsignalbetrieb mit einer großen Spannungsänderung UGS läßt sich durch die Ersatzschaltung nach Bild 1b beschreiben. Der Gate-Kanal-übergang wird hier durch zwei diskrete Dioden und einen ...

Autor:
Kategorie:
Sonstiges
Anzahl Wörter:
602
Art:
Fachbereichsarbeit
Sprache:
Deutsch
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