Feldeffekttransistor - JFET

Schlagwörter:
Referat, Hausaufgabe, Feldeffekttransistor - JFET
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Referat
Feldeffekttransistoren Feldeffekttransistoren sind Halbleiter, die im Gegensatz zu den normalen, bipolaren Transistoren mit einem elektrischen Feld, d.h. leistungslos gesteuert werden. 1 Klassifikation Man unterscheidet sechs verschiedene Typen von Feldeffekttransistoren (Abkürzung Fet).Das Gate G ist die Steuerelektrode. Mit ihm läßt sich der Widerstand zwischen Drain D und Source S steuern. Die Steuerspannung ist UGS. Viele Fets sind symmetrisch, d.h. sie ändern ihre Eigenschaften nicht, wenn man S und D vertauscht. Bei Sperrschichtfets ist das Gate durch einen pn- bzw. np- übergang vom Kanal DS getrennt. Bei richtiger Polung von UGS sperrt diese Diode und isoliert das Gate; bei umgekehrter Polung wird sie leitend. Bei Mosfets isoliert eine dünne SiO2-Schicht das Gate vom Kanal DS. Daher kann bei ihnen nie ein Gatestrom fließen, unabhängig von der Polung des Gates. Die im Betrieb auftretenden Gateströme liegen bei Sperrschichtfets zwischen 1 pA und 1 nA; bei Kleinsignal-Mosfets sind sie zum Teil sogar noch kleiner. Damit verbunden sind Eingangswiderstände von 1010 bis 1013 . Genauso wie es pnp- und npn- Transistoren gibt, gibt es auch p- und n-Kanal-Fets. Bei den n-Kanal-Fets wird der Kanalstrom um so kleiner, je weiter das Gatepotential sinkt. Umgekehrt ist es bei p-Kanal-Fets. Dies erkennt man auch an den Kennlinien. Der übersichtlichkeit der Darstellung wegen verwenden wir im folgenden n-Kanal-Fets und setzen p-Kanal-Fets nur dann ein, wenn ein besonderer Anlaß dafür ...

Autor:
Kategorie:
Sonstiges
Anzahl Wörter:
1009
Art:
Fachbereichsarbeit
Sprache:
Deutsch
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