Arbeitspunkteinstellung und Stabilisierung

Schlagwörter:
Spannungsgegenkopplung, Transistor, Kleinsignalverstärker, Kollektor, Emmitter Stromverstärker, Gleichstromgegenkopplung, Referat, Hausaufgabe, Arbeitspunkteinstellung und Stabilisierung
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Referat
EDT-Referat 1992 93 4HNB Schott Markus Arbeitspunkteinstellung und Stabilisierung bei Kleinsignaltransistorverstärkern Durch die Temperaturabhängigkeit und die Exemplarstreung der Transistorkennwerte kann es zu einer mehr oder weniger starken Arbeitspunktverschiebung (IC, UCE) kommen, welche Verzerrungen oder bei Transistoren, die größere Eigenwärme erzeugen, unter Umständen sogar thermische Zerstörung zur Folge haben. Temperatrurabhängige Transistorkennwerte: UBE: Mit steigendere Temperatur wird die für einen bestimmten Strom benötigte Spannung UBE an der leitenden Emitterdiode kleiner. Die erforderliche Spannung UBE nimmt um etwa 2mV K wie die Flußspannung bei einer normalen Diode ab. (Da die Ladungsträger- beweglichkeit mit steigender Temperatur zunimmt wird die Flußspannung kleiner.) (siehe Bild 1) ICB0: Bei Germaniumtransistoren im A-Bereich. Bei Siliziumtransistoren im nA-Bereich. Muß bei Siliziumtransitoren nur bei höheren Sperrschichttemperaturen bertücksichtigt werden. ICB0 verdoppelt sich bei einer Temperaturerhöhung um 10K. Der Sperrstrom entsteht überwiegend durch thermisch gebildete Ladungsträgerpaare. (siehe Bild 2) B: Die Stromverstärkung B wächst etwa mit 1 K mit steigender Temperatur. (siehe Bild 3) Es kann aber auch durch Exemplarstreungen zu mehr oder weniger starken Abweichungen vom gewünschten Arbeitspunkt kommen. Streung von: -UBE siehe Bild 1 -B siehe Bild 3 Um den Arbeitspunkt trotz Temperaturschwankungen und Exemplarstreungen möglichst stabil auf ...

Autor:
Kategorie:
Sonstiges
Anzahl Wörter:
1508
Art:
Fachbereichsarbeit
Sprache:
Deutsch
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