Arbeitspunkteinstellung und Stabilisierung

Schlagwörter:
Spannungsgegenkopplung, Transistor, Kleinsignalverstärker, Kollektor, Emmitter Stromverstärker, Gleichstromgegenkopplung, Referat, Hausaufgabe, Arbeitspunkteinstellung und Stabilisierung
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Beschreibung / Inhalt
Das Dokument beschäftigt sich mit den Problemen, die bei der Arbeitspunkteinstellung und Stabilisierung von Kleinsignaltransistorverstärkern entstehen können. Es werden verschiedene Faktoren wie die Temperaturabhängigkeit der Transistorkennwerte (UBE, ICB0, B), Exemplarstreungen und Widerstandstoleranzen betrachtet, die zu einer Arbeitspunktverschiebung führen können. Zur Stabilisierung des Arbeitspunktes werden verschiedene Methoden vorgestellt, wie zum Beispiel die Verwendung von temperaturabhängigen Widerständen im Basisteiler, Gleichstromgegenkopplung und die Kombination von Gleichstromgegenkopplung und temperaturabhängigen Basisteiler. Es werden auch zwei konkrete Schaltungen vorgestellt, bei denen die Arbeitspunktstabilisierung durch einen hochohmigen Basisvorwiderstand bzw. durch die Verwendung eines Heißleiters oder einer Diode erreicht wird. In der Schaltung mit dem Basisvorwiderstand wird jedoch darauf hingewiesen, dass eine starke Temperaturabhängigkeit des Arbeitspunktes aufgrund des Sperrstroms ICB0 auftreten kann, der durch eine Diode oder einen Widerstand parallel zur Basis-Emitterstrecke ausgeglichen werden sollte. Insgesamt geht das Dokument detailliert auf die verschiedenen Einflussfaktoren ein und zeigt geeignete Maßnahmen auf, um den Arbeitspunkt von Kleinsignaltransistorverstärkern stabil zu halten.
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Auszug aus Referat
EDT-Referat 1992 93 4HNB Schott Markus Arbeitspunkteinstellung und Stabilisierung bei Kleinsignaltransistorverstärkern Durch die Temperaturabhängigkeit und die Exemplarstreung der Transistorkennwerte kann es zu einer mehr oder weniger starken Arbeitspunktverschiebung (IC, UCE) kommen, welche Verzerrungen oder bei Transistoren, die größere Eigenwärme erzeugen, unter Umständen sogar thermische Zerstörung zur Folge haben. Temperatrurabhängige Transistorkennwerte: UBE: Mit steigendere Temperatur wird die für einen bestimmten Strom benötigte Spannung UBE an der leitenden Emitterdiode kleiner. Die erforderliche Spannung UBE nimmt um etwa 2mV K wie die Flußspannung bei einer normalen Diode ab. (Da die Ladungsträger- beweglichkeit mit steigender Temperatur zunimmt wird die Flußspannung kleiner.) (siehe Bild 1) ICB0: Bei Germaniumtransistoren im A-Bereich. Bei Siliziumtransistoren im nA-Bereich. Muß bei Siliziumtransitoren nur bei höheren Sperrschichttemperaturen bertücksichtigt werden. ICB0 verdoppelt sich bei einer Temperaturerhöhung um 10K. Der Sperrstrom entsteht überwiegend durch thermisch gebildete Ladungsträgerpaare. (siehe Bild 2) B: Die Stromverstärkung B wächst etwa mit 1 K mit steigender Temperatur. (siehe Bild 3) Es kann aber auch durch Exemplarstreungen zu mehr oder weniger starken Abweichungen vom gewünschten Arbeitspunkt kommen. Streung von: -UBE siehe Bild 1 -B siehe Bild 3 Um den Arbeitspunkt trotz Temperaturschwankungen und Exemplarstreungen möglichst stabil auf ...
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Autor:
Kategorie:
Sonstiges
Anzahl Wörter:
1514
Art:
Fachbereichsarbeit
Sprache:
Deutsch
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